微纳加工
精准工艺
精准工艺
定制解决方案
复汭科技提供涵盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、键合等微纳器件全流程加工工艺， 配备紫外光刻机、电子束光刻、物理气相沉积设备、电子束蒸发镀膜设备、 场发射扫描电镜及电子束直写设备、介质等离子体刻蚀设备等核心设备。
我们的工程师具备丰富的工艺经验，可根据客户的设计图纸和功能要求， 提供从工艺评估、流程设计到器件制备的全流程技术支持， 服务对象涵盖科研院所、高校实验室及半导体初创企业。
工艺能力
核心加工工艺体系
覆盖微纳器件制备全流程，满足多样化的科研和产业需求
电子束光刻（EBL）
高精度纳米图案转移，分辨率达5 nm，适用于纳米器件原型制备和掩模版制作。
分辨率 < 5nm
大面积拼接
多层对准
反应离子刻蚀（RIE）
各向异性干法刻蚀工艺，刻蚀多种半导体和介质材料，支持深刻蚀（DRIE）。
Si/SiO₂/GaN
DRIE 深刻蚀
高选择比
磁控溅射（PVD）
高质量金属和绝缘薄膜沉积，支持多靶材共溅射，薄膜均匀性优异。
Au/Pt/Ti/Al
共溅射合金
厚度精控
电子束蒸发（EBE）
高纯度金属薄膜沉积，优异的薄膜结晶质量，适用于超导器件和光电器件制备。
高纯金属
Lift-off工艺
超导材料
紫外光刻（UVL）
批量化微米级图案光刻，支持接触式、接近式和投影式光刻，高产率低成本。
分辨率 ~1μm
批量制备
多种光刻胶
扫描电子束（SEM）工艺
结合SEM的原位加工与分析能力，实现纳米精度的原型器件快速制备与验证。
原位加工
快速验证
特殊结构
